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近年来，随着世界范围内对电动交通工具大规模普及以及晶体技术的逐步成熟，新一代的半导体材料， SiC、 GaN、Ga2O3等晶圆需求量快速增长，从去年的“未来应用”迅速成为当下“迫切需要”的半导体材料。

然而在市场化应用的过程中却遇到诸多阻碍。目前行业还没有针对第三代半导体出具高效、快速、低成本的精密抛光工艺方案，大部分还是沿用以往单晶硅的工艺，并进行一些改良，但由于SiC硬度高，以及其特殊的晶像特征，现有磨削抛光材料去除率低，易出现划痕及亚表面和边缘破损等和环境污染等问题。

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